FÜLLEN VON ÖFFNUNGEN DURCH KOMBINIEREN VON NICHT FLIEßFÄHIGEN UND FLIEßFÄHIGEN PROZESSEN
Hierin offenbart sind Verfahren zur Herstellung von IC-Komponenten, bei denen die Öffnungen von unten nach oben mit einem dielektrischen Material gefüllt werden. Bei einem Aspekt umfasst ein beispielhaftes Verfahren zunächst das Abscheiden eines festen dielektrischen Liners auf den Innenoberflächen...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Hierin offenbart sind Verfahren zur Herstellung von IC-Komponenten, bei denen die Öffnungen von unten nach oben mit einem dielektrischen Material gefüllt werden. Bei einem Aspekt umfasst ein beispielhaftes Verfahren zunächst das Abscheiden eines festen dielektrischen Liners auf den Innenoberflächen der Öffnungen unter Verwendung eines nicht fließfähigen Prozesses und anschließend das Füllen des verbleibenden leeren Volumens der Öffnungen in einem fließfähigen Prozess mit einem Fülldielektrikum. Ein solches Kombinationsverfahren kann die individuellen Stärken der nicht fließfähigen und fließfähigen Prozesse aufgrund des Synergieeffekts, der durch ihre kombinierte Verwendung erzielt wird, maximieren und gleichzeitig ihre jeweiligen Nachteile verringern. Anordnungen und Vorrichtungen, die unter Verwendung solcher Verfahren hergestellt wurden, werden ebenfalls offenbart.
Disclosed herein are methods for manufacturing IC components using bottom-up fill of openings with a dielectric material. In one aspect, an exemplary method includes, first, depositing a solid dielectric liner on the inner surfaces of the openings using a non-flowable process, and subsequently filling the remaining empty volume of the openings with a fill dielectric using a flowable process. Such a combination method may maximize the individual strengths of the non-flowable and flowable processes due to the synergetic effect achieved by their combined use, while reducing their respective drawbacks. Assemblies and devices manufactured using such methods are disclosed as well. |
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