Halbleitereinrichtung, Leistungsumwandlungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung

Halbleitereinrichtung (10, 10a, 10b, 202), aufweisend:- eine Basisplatte (16);- einen Leiterrahmen (30), der eine erste Oberfläche (31) und eine zweite Oberfläche (32) aufweist, die eine der ersten Oberfläche (31) entgegengesetzte Oberfläche ist, wobei die zweite Oberfläche (32) an eine obere Oberfläche der Basisplatte (16) gebondet ist;- eine Halbleitervorrichtung (20, 22, 24), die auf der ersten Oberfläche (31) des Leiterrahmens (30) ausgebildet ist; und- ein Formharz (28), das die obere Oberfläche der Basisplatte (16), den Leiterrahmen (30) und die Halbleitervorrichtung (20, 22, 24) bedeckt, wobei:- das Formharz (28) mit einem Anschluss-Einsetzloch (36) ausgebildet ist, das sich von einer Oberfläche des Formharzes (28) zum Leiterrahmen (30) erstreckt und in das ein Einpressanschluss (40, 40a, 40b) eingesetzt ist, und- der Leiterrahmen (30) mit einem Öffnungsteilbereich (38) ausgebildet ist, der mit dem Anschluss-Einsetzloch (36) in Verbindung steht und in den der Einpressanschluss (40, 40a, 40b) eingepresst ist. A semiconductor apparatus according to the invention of the present application includes a base plate, a lead frame having a first surface and a second surface being a surface opposite to the first surface, the second surface being bonded to an upper surface of the base plate, a semiconductor device provided on the first surface of the lead frame, and a mold resin covering the upper surface of the base plate, the lead frame, and the semiconductor device, wherein the mold resin is provided with a terminal insertion hole that extends from the surface of the mold resin to the lead frame and in which a press-fit terminal is inserted, and the lead frame is provided with an opening portion which intercommunicates with the terminal insertion hole and into which the press-fit terminal is press-fitted.