Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, aufweisend:- ein Si-Substrat (1) mit hohem Widerstand;- eine Nitrid-Halbleiterschicht (2, 3, 4), die auf dem Si-Substrat (1) mit hohem Widerstand ausgebildet ist;- eine Gateelektrode (5), eine Sourceelektrode (6) und eine Drainelektrode (7), die auf der Nitrid-Halbleiterschicht (2, 3, 4) ausgebildet sind; und- eine leitfähige Schicht (11) vom P-Typ, die mit der Nitrid-Halbleiterschicht (2, 3, 4) in Kontakt und auf dem Si-Substrat (1) mit hohem Widerstand unterhalb der Drainelektrode (7) ausgebildet ist, wobei die leitfähige Schicht (11) vom P-Typ nicht unterhalb der Gateelektrode (5) und der Sourceelektrode (6) ausgebildet ist. A nitride semiconductor layer (2,3,4) is provided on a Si substrate (1). A gate electrode (5), a source electrode (6) and a drain electrode (7) are provided on the nitride semiconductor layer (2,3,4). A P-type conductive layer (11) in contact with the nitride semiconductor layer (2,3,4) is provided on the Si substrate (1) below the drain electrode (7).