Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls und Silizium-Einkristallwafer

Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls, das das Ziehen eines Silizium-Einkristalls anhand des Czochralski-Verfahrens umfasst, während ein Magnetfeld auf eine Rohmaterialschmelze angewendet wird, umfassend:Einstellen eines Durchmessers beim Ziehen des Silizium-Einkristalls auf 300 mm oder mehr,Einstellen einer Wachstumsachsenrichtung des Silizium-Einkristalls auf , undZüchten des Silizium-Einkristalls, um eine Relation von 1096/D-(0,134×M/10-4+80×R)/D > 0,7 zu erfüllen, wobei D [mm] der Durchmesser beim Ziehen des Silizium-Einkristalls ist, M [T] eine zentrale Magnetfeldstärke an einer Oberfläche der Rohmaterialschmelze ist, und R [U/min] eine Drehzahl des Silizium-Einkristalls ist. A method of producing a silicon single crystal, including pulling a silicon single crystal by Czochralski method while a magnetic field is applied to a raw material melt, including: setting a diameter on pulling the silicon single crystal to 300 mm or more, setting a growth axis direction of the silicon single crystal to , and growing the silicon single crystal so as to satisfy a relation of 1096/D−(0.134×M+80×R)/D>0.7, wherein D [mm] is the diameter on pulling the silicon single crystal, M [Gauss] is a central magnetic field strength at a surface of the raw material melt, and R [rpm] is a rotation rate of the silicon single crystal. This makes it possible to produce a crystal with favorable macroscopic RRG distribution and microscopic variation of resistivity.