Verfahren zur Bewertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, Verfahren zur Bewertung eines Herstellungsprozesses für Siliciumwafer, Verfahren zur Herstellung von Siliciumwafern, Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristall-Ingots

Verfahren zur Bewertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, welches umfasst:Bildung einer Oxidschicht auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche einer als Bewertungsziel dienenden Siliciumprobe; Bestrahlung einer Oberfläche der Oxidschicht mit einem Teilchenstrahl;Bestrahlung der Oberf...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Sasaki, Syun, Eriguchi, Kazutaka, Samata, Shuichi
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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