Verfahren zur Bewertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, Verfahren zur Bewertung eines Herstellungsprozesses für Siliciumwafer, Verfahren zur Herstellung von Siliciumwafern, Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristall-Ingots

Verfahren zur Bewertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, welches umfasst:Bildung einer Oxidschicht auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche einer als Bewertungsziel dienenden Siliciumprobe; Bestrahlung einer Oberfläche der Oxidschicht mit einem Teilchenstrahl;Bestrahlung der Oberfläche der Oxidschicht, welche mit dem Teilchenstrahl bestrahlt wurde, mit Anregungslicht, das eine Energie aufweist, die größer ist als eine Bandlücke von Silicium;Messung der Intensität einer Photolumineszenz, emittiert von der mit dem Anregungslicht bestrahlten, als Bewertungsziel dienenden Siliciumprobe; und Bewertung der Kohlenstoffkonzentration der als Bewertungsziel dienenden Siliciumprobe auf Basis der gemessenen Intensität der Photolumineszenz, wobei die Photolumineszenz eine Bandkanten-Lumineszenz von Silicium ist. Provided is a method of evaluating carbon concentration of a silicon sample, which includes: forming an oxide film on at least a part of a surface of an evaluation-target silicon sample; irradiating a particle beam onto a surface of the oxide film; irradiating excitation light having energy larger than a band gap of silicon onto the surface of the oxide film, onto which the particle beam has been irradiated; measuring intensity of photoluminescence emitted from the evaluation-target silicon sample irradiated with the excitation and evaluating carbon concentration of the evaluation-target silicon sample on the basis of the measured intensity of photoluminescence, wherein the photoluminescence is band-edge luminescence of silicon.