LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LEISTUNGSHALBLEITERVORRICHTUNG

Leistungshalbleitervorrichtung (10), die Folgendes aufweist:- ein Substrat (1); und- ein Halbleiterelement (3), das unter Verwendung eines sinterfähigen Metall-Bonding-Materials (2) auf das Substrat (1) gebondet ist, wobei das Halbleiterelement (3) eine Basis (4), eine erste leitfähige Schicht (6), die auf einer ersten Oberfläche auf einer Substratseite der Basis (4) angeordnet ist, und eine zweite leitfähige Schicht (5) aufweist, die auf einer zweiten Oberfläche entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche der Basis (4) angeordnet ist, undwobei die Dicke der ersten leitfähigen Schicht (6) das 0,5-fache bis 2,0-fache (inklusive) der Dicke der zweiten leitfähigen Schicht (5) beträgt, und wobei die erste leitfähige Schicht (6) eine AlSi-Schicht und eine Ni-Schicht aufweist, undwobei die Dicke der Ni-Schicht das 1,15-fache oder mehr der Dicke der AlSi-Schicht beträgt, und wobeiwenn der lineare Ausdehnungskoeffizient des Substrats (1) größer ist als der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleiterelements (3), die Dicke der ersten leitfähigen Schicht (6) das 1,0-fache bis 1,8-fache (einschließlich) der Dicke der zweiten leitfähigen Schicht (5) beträgt, und wobeiwenn der lineare Ausdehnungskoeffizient des Substrats (1) kleiner ist als der lineare Ausdehnungskoeffizient des Halbleiterelements (3), die Dicke der ersten leitfähigen Schicht (6) das 0,55-fache (inklusive) bis 1,0-fache (exklusive) der Dicke der zweiten leitfähige Schicht (5) beträgt. This power semiconductor device is provided with: a substrate; and a semiconductor element which is bonded onto the substrate using a sinterable metal bonding material. The semiconductor element comprises: a base; a first conductive layer that is provided on a first surface of the base, said first surface being on the substrate side; and a second conductive layer that is provided on a second surface of the base, said second surface being on the reverse side of the first surface. The thickness of the first conductive layer is from 0.5 times to 2.0 times (inclusive) the thickness of the second conductive layer.