Halbleiterwafer, Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Ein Halbleiterwafer umfasst ein Siliziumcarbid-Substrat mit einer ersten Trägerkonzentration, eine Trägerkonzentrations-Übergangsschicht und eine epitaktische Schicht, die auf der Trägerkonzentrations-Übergangsschicht vorgesehen ist, wobei die epitaktische Schicht eine zweite Trägerkonzentration aufweist und die zweite Trägerkonzentration niedriger als die erste Trägerkonzentration ist. Die Trägerkonzentrations-Übergangsschicht weist einen Konzentrationsgradienten in der Dickenrichtung auf. Die Trägerkonzentration nimmt ab, während die Filmdicke von einer Grenzfläche zwischen einer Schicht direkt unter der Trägerkonzentrations-Übergangsschicht und der Trägerkonzentrations-Übergangsschicht zunimmt, und die Trägerkonzentration nimmt mit einer geringeren Abnahmerate ab, während die Filmdicke der Trägerkonzentrations-Übergangsschicht zunimmt. Die Trägerkonzentration der Trägerkonzentrations-Übergangsschicht weist den Konzentrationsgradienten auf, der in einen vorbestimmten Konzentrationsbereich fällt, der zwischen einer ersten Konzentrationsgradienten-Bedingung und einer zweiten Konzentrationsgradienten-Bedingung liegt. A semiconductor wafer includes a silicon carbide substrate having a first carrier concentration, a carrier concentration transition layer, and an epitaxial layer provided on the carrier concentration transition layer, the epitaxial layer having a second carrier concentration, and the second carrier concentration being lower than the first carrier concentration. The carrier concentration transition layer has a concentration gradient in the thickness direction. The carrier concentration decreases as the film thickness increases from an interface between a layer directly below the carrier concentration transition layer and the carrier concentration transition layer, and the carrier concentration decreases at a lower rate of decrease as the film thickness of the carrier concentration transition layer increases. The carrier concentration of the carrier concentration transition layer has the concentration gradient that falls within a predetermined concentration range lying between a first concentration gradient condition and a second concentration gradient condition.