Halbleitervorrichtung

Auf einer Driftschicht (1) sind erste und zweite p-Typ-Anodenschichten (2, 3) vorgesehen. Eine n-Typ-Kathodenschicht (5) und p-Typ-Kathodenschicht (6) sind unter der Driftschicht (1) nebeneinander vorgesehen. Eine n-Typ-Pufferschicht (7) ist zwischen der Driftschicht (1) und der n-Typ-Kathodenschicht (5) und zwischen der Driftschicht (1) und der p-Typ-Kathodenschicht (6) vorgesehen. Die erste p-Typ-Anodenschicht (2, 2a, 2b) weist eine größere Diffusionstiefe als eine Diffusionstiefe der zweiten p-Typ-Anodenschicht (3) auf. Die erste p-Typ-Anodenschicht (2, 2a, 2b) weist eine größere Verunreinigungskonzentration als eine Verunreinigungskonzentration der zweiten p-Typ-Anodenschicht (3) auf. Die n-Typ-Kathodenschicht (5) weist eine größere Diffusionstiefe als eine Diffusionstiefe der p-Typ-Kathodenschicht (6) auf. Die n-Typ-Kathodenschicht (5) weist eine größere Verunreinigungskonzentration als eine Verunreinigungskonzentration der p-Typ-Kathodenschicht (6) auf. First and second p-type anode layers (2,3) are provided side by side on a drift layer (1). N-type cathode layer (5) and p-type cathode layer (6) are provided side by side below the drift layer (1). An n-type buffer layer (7) is provided between the drift layer (1) and the n-type cathode layer (5) and between the drift layer (1) and the p-type cathode layer (6). The first p-type anode layer (2,2a,2b) has a greater diffusion depth than a diffusion depth of the second p-type anode layer (3). The first p-type anode layer (2,2a,2b) has a greater impurity concentration than an impurity concentration of the second p-type anode layer (3). The n-type cathode layer (5) has a greater diffusion depth than a diffusion depth of the p-type cathode layer (6). The n-type cathode layer (5) has a greater impurity concentration than an impurity concentration of the p-type cathode layer (6).