Stützstrukturen für integrierte Schaltungsgehäuse; Rechnervorrichtung und Herstellverfahren

Stützstruktur für integrierte Schaltungsgehäuse (IC-Gehäusestützstruktur) (106), aufweisend:eine erste Heizleiterbahn (114, 114-1, 114-2, 114-3, 114-4, 114-5, 114-6, 114-7, 114-8), undeine zweite Heizleiterbahn (114, 114-1, 114-2, 114-3, 114-4, 114-5, 114-6, 114-7, 114-8), wobei die zweite Heizleiterbahn (114-2) mit der ersten Heizleiterbahn (114-1) in der IC-Gehäusestützstruktur (106) nicht leitfähig gekoppelt ist,wobei die erste Heizleiterbahn (114-1) eine Grundfläche (160, 160-1, 160-2, 160-3, 160-4, 160-5, 160-6, 160-7, 160-8) und eine erste und eine zweite Verbindungsanschlussverlängerung (161, 161-1, 161-2, 161-3, 161-4, 161-5, 161-6, 161-7, 161-8, 162, 162-1, 162-2, 162-3, 162-4, 162-5, 162-6, 162-7, 162-8) aufweist, und die Grundfläche (160-1) eine konvexe Form hat,wobei die Grundfläche (160-1) diejenige Fläche ist, die durch die Anordnung der ersten Heizleiterbahn (114-1) gebildet wird,wobei die erste Verbindungsanschlussverlängerung (161-1) die erste Heizleiterbahn (114-1) elektrisch mit einem ersten Verbindungsanschluss (117, 117-1, 117-2, 117-3, 117-4, 117-5, 117-6, 117-7, 117-8) verbindet und die zweite Verbindungsanschlussverlängerung (162-1) die erste Heizleiterbahn (114-1) elektrisch mit einem zweiten Verbindungsanschluss (119, 119-1, 119-2, 119-3, 119-4, 119-5, 119-6, 119-7, 119-8) verbindet,wobei der erste und der zweite Verbindungsanschluss (117-1, 119-1) sich jeweils außerhalb der Grundfläche (160-1) befinden,einen ersten Bereich von Durchkontaktierungen (177) in der Nähe der ersten Heizleiterbahn (114-1), einen zweiten Bereich von Durchkontaktierungen (177) in der Nähe der zweiten Heizleiterbahn (114-2), undwobei eine Dichte der Durchkontaktierungen (177) im ersten Bereich größer ist als eine Dichte der Durchkontaktierungen (177) im zweiten Bereich. Disclosed herein are integrated circuit (IC) package support structures, and related systems, devices, and methods. In some embodiments, an IC package support structure may include a first heater trace, and a second heater trace, wherein the second heater trace is not conductively coupled to the first heater trace in the IC package support structure.