Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls

Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls, das folgendes umfasst:einen Schritt zum Schmelzen des Ausgangsmaterials, in dem ein Silicium-Ausgangsmaterial in einem Quarztiegel unter Verwendung einer Kohlenstoff-Heizung erhitzt wird, um so eine Siliciumschmelze zu erzeugen, wobei Inertgas in einer Kammer, die den Quarztiegel und die Heizung beherbergt, von oberhalb des Quarztiegels eingeführt wird und das Inertgas in der Kammer von unterhalb des Quarztiegels abgelassen wird; undeinen Schritt zum Hochziehen des Kristalls, in dem ein Einkristall aus der durch den Schritt zum Schmelzen des Ausgangsmaterials erzeugten Siliciumschmelze hochgezogen wird, bei demdas Silicium-Ausgangsmaterial erhitzt wird, wobei die maximale Oberflächentemperatur eines ersten Teils der Heizung, der oberhalb zumindest des oberen Endes des Quarztiegels angeordnet ist, in dem Schritt zum Schmelzen des Ausgangsmaterials unter 1.500°C gehalten wird, und die maximale Oberflächentemperatur eines zweiten Teils der Heizung, der unterhalb des oberen Endes des Quarztiegels angeordnet ist, in dem Schritt zum Schmelzen des Ausgangsmaterials auf 1.500°C oder höher erhöht ist. A method of manufacturing a single crystal is provided with a raw material melting step of heating a silicon raw material in a quartz crucible using a carbon heater to generate a silicon melt; and a crystal pull-up step of pulling up a single crystal from the silicon melt generated by the raw material melting step, wherein the silicon raw material is heated with the maximum surface temperature of a first part of the heater that is positioned above at least the upper end of the quartz crucible maintained below 1500° C. in the raw material melting step.