Verfahren zum Ermitteln von Defektregionen
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Ermitteln einer Defektregion eines Silicium-Wafers bereit, der von einem anhand eines CZ-Verfahrens hergestellten Silicium-Einkristall geschnitten wurde, das Verfahren umfassend: (1) Hochglanzpolieren des Silicium-Wafers derartig, dass ein Trübungsg...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
Schlagworte: | |
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