Verfahren zum Ermitteln von Defektregionen

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Ermitteln einer Defektregion eines Silicium-Wafers bereit, der von einem anhand eines CZ-Verfahrens hergestellten Silicium-Einkristall geschnitten wurde, das Verfahren umfassend: (1) Hochglanzpolieren des Silicium-Wafers derartig, dass ein Trübungsg...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Tomii, Kazuya, Kikuchi, Hiroyasu
Format: Patent
Sprache:ger
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