Verfahren zum Ermitteln von Defektregionen

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Ermitteln einer Defektregion eines Silicium-Wafers bereit, der von einem anhand eines CZ-Verfahrens hergestellten Silicium-Einkristall geschnitten wurde, das Verfahren umfassend: (1) Hochglanzpolieren des Silicium-Wafers derartig, dass ein Trübungsgrad einer Oberfläche davon bei einer Trübungsmessung, die von einem Partikelzähler durchgeführt wird, der einen Laser mit einer Wellenlänge von 266 nm verwendet, 0,06 ppm oder weniger wird; (2) Messen der Anzahl der Defekte und/oder einer Defektdichteverteilung auf der hochglanzpolierten Oberfläche des Silicium-Wafers unter Verwendung eines Partikelzählers, der Defekte mit einer Größe von 15 nm oder weniger messen kann; und (3) Ermitteln der Defektregion des Silicium-Wafers aus der gemessenen Anzahl der Defekte und/oder der Defektdichteverteilung. Folglich wird das Verfahren bereitgestellt, mit dem eine Defektregion eines Silicium-Wafers, der von einem anhand eines CZ-Verfahrens hergestellten Silicium-Einkristall geschnitten wurde, in kurzer Zeit anhand nicht zerstörender Prüfung festgestellt werden kann. A method for determining a defect region of a silicon wafer which is sliced off from a silicon single crystal manufactured by a CZ method, the method including: (1) mirror-surface processing the silicon wafer in such a manner that a haze level of a surface thereof in haze measurement performed by a particle counter which uses a laser having a wavelength of 266 nm becomes 0.06 ppm or less; (2) measuring the number of defects and/or a defect density distribution on the mirror-surface-processed surface of the silicon wafer by using a particle counter capable of measuring defects having a size of 15 nm or less; and (3) determining the defect region of the silicon wafer from the measured number of the defects and/or defect density distribution.