LICHTEMITTIERENDES NITRID-HALBLEITER-ELEMENT

Es wird ein lichtemittierendes Nitrid-Halbleiter-Element zur Verfügung gestellt, das versehen ist mit: einer n-seitige Schicht; einer p-seitige Schicht; und einer aktiven Schicht mit einer Wannenschicht, vorgehen zwischen der n-seitigen Schicht und der p-seitigen Schicht, wobei die Wannenschicht Al,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Okabe, Tokutaro, Asada, Koji
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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