LICHTEMITTIERENDES NITRID-HALBLEITER-ELEMENT

Es wird ein lichtemittierendes Nitrid-Halbleiter-Element zur Verfügung gestellt, das versehen ist mit: einer n-seitige Schicht; einer p-seitige Schicht; und einer aktiven Schicht mit einer Wannenschicht, vorgehen zwischen der n-seitigen Schicht und der p-seitigen Schicht, wobei die Wannenschicht Al, Ga und N enthält, und einer Sperrschicht, die Al, Ga und N enthält, wobei die Sperrschicht einen AI-Gehalt hat, der höher als derjenige der Wannenschicht ist, wobei: eine Elektronenblockierstrukturschicht zwischen der aktiven Schicht und der p-seitigen Schicht vorhanden ist; und die Elektronenblockierstrukturschicht eine erste Elektronenblockierschicht hat, die eine Bandlücke hat, die größer als diejenige der Sperrschicht ist, eine zweite Elektronenblockierschicht, die zwischen der p-seitigen Schicht und der ersten Elektronenblockierschicht vorgesehen ist und die eine Bandlücke hat, die größer als diejenige der Sperrschicht und kleiner als diejenige der ersten Elektronenblockierschicht, und eine neutrale Schicht, die zwischen der ersten Elektronenblockierschicht und der zweiten Elektronenblockierschicht vorgesehen ist und die eine Bandlücke hat, die kleiner als diejenige der zweiten Elektronenblockierschicht ist. A nitride semiconductor light emitting element includes: an n-side layer; a p-side layer; an active layer disposed between the n-side layer and the p-side layer, the active layer comprising: a well layer containing Al, Ga, and N, and a barrier layer containing Al, Ga, and N, wherein an Al content of the barrier layer is higher than an Al content of the well layer; and an electron blocking structure layer between the active layer and the p-side layer, the electron blocking structure comprising: a first electron blocking layer disposed between the p-side layer and the active layer, a second electron blocking layer disposed between the p-side layer and the first electron blocking layer, and an intermediate layer disposed between the first electron blocking layer and the second electron blocking layer.