SYSTEME, VERFAHREN UND VORRICHTUNGEN FÜR PARALLELE LESE- UND SCHREIBVORGÄNGE

Eine Vorrichtung (100), die Folgendes beinhaltet:eine erste Übertragungsvorrichtung (202), die mit einer lokalen Bitleitung (114) und einer globalen Bitleitung (116) gekoppelt ist, die mit einer Speichereinheit eines Speicherarrays (102) assoziiert sind, wobei die erste Übertragungsvorrichtung (202)...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Bettman, Roger, Agrawal, Vineet, Leshner, Samuel
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Eine Vorrichtung (100), die Folgendes beinhaltet:eine erste Übertragungsvorrichtung (202), die mit einer lokalen Bitleitung (114) und einer globalen Bitleitung (116) gekoppelt ist, die mit einer Speichereinheit eines Speicherarrays (102) assoziiert sind, wobei die erste Übertragungsvorrichtung (202) konfiguriert ist, um die globale Bitleitung (116) mit der lokalen Bitleitung (114) selektiv zu koppeln;eine erste Vorrichtung (212), die mit der lokalen Bitleitung (114) und einem Leseverstärker (108) gekoppelt ist, wobei die erste Vorrichtung (212) konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) mit dem Leseverstärker (108) selektiv zu koppeln; undeine zweite Vorrichtung (218), die mit der lokalen Bitleitung (114) und einer elektrischen Masse gekoppelt ist, wobei die zweite Vorrichtung (218) konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) mit der elektrischen Masse selektiv zu koppeln,wobei die erste Vorrichtung (212) konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) als Reaktion auf einen Niedrigspannungsvorgang mit dem Leseverstärker (108) zu koppeln, wobei die erste Vorrichtung (212) ferner konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) als Reaktion auf einen Hochspannungsvorgang oderdarauf, dass die Speichereinheit unselektiert ist, vom Leseverstärker (108) zu entkoppeln,wobei die zweite Vorrichtung (218) konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) als Reaktion darauf, dass die Speichereinheit unselektiert ist, mit der elektrischen Masse zu koppeln und wobei die zweite Vorrichtung (218) ferner konfiguriert ist, um die lokale Bitleitung (114) als Reaktion auf einen Hochspannungsvorgang oder einen Niedrigspannungsvorgang von der elektrischen Masse zu entkoppeln. Disclosed herein are systems, methods, and devices for parallel read and write operations. Devices may include a first transmission device coupled to a local bit line and a global bit line associated with a memory unit of a memory array. The first transmission device may be configured to selectively couple the global bit line to the local bit line. The devices may further include a first device coupled to the local bit line and a sense amplifier. The first device may be configured to selectively couple the local bit line to the sense amplifier. The devices may also include a second device coupled to the local bit line and an electrical ground. The second device may be configured to selectively couple the local bit line to the electrical ground.