HOCHGESCHWINDIGKEITS-, HOCHSPANNUNGSTOLERANTE SCHALTUNGEN IN FLASH-PFAD

Eine Schaltung, die Folgendes beinhaltet:eine Wortleitung, die mit einer nichtflüchtigen Speicherzelle, NVM-Zelle, gekoppelt ist;einen ersten Pfad, der einen ersten Inverter (504) und einen Transistor (1126) beinhaltet,wobei der Transistor (1126) mit der Wortleitung gekoppelt ist, der erste Pfad gekoppelt ist, um ein erstes Eingangsspannungssignal zu empfangen;einen zweiten Pfad, der mindestens den Transistor (1126) beinhaltet, der mit der Wortleitung gekoppelt ist, wobei mindestens ein Abschnitt des zweiten Pfads innerhalb des ersten Pfads eingebettet ist, der zweite Pfad gekoppelt ist, um ein zweites Eingangsspannungssignal zu empfangen; undwobei das erste Eingangsspannungssignal ein schnelles Niedrigspannungssignal ist, das die NVM-Zelle liest, und wobei das zweite Eingangsspannungssignal ein langsames Hochspannungssignal ist, das die NVM-Zelle programmiert. A circuit includes a first word line coupled to a non-volatile memory (NVM) cell. A first path includes a first inverter and a transistor. The transistor is coupled to the word line. The first path is coupled to receive a first input voltage signal. A second path includes at least the transistor coupled to the word line. At least a portion of the second path is embedded within the first path. The second path is coupled to receive a second input voltage signal.