Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Optoelektronisches Halbleiterbauteil (10) umfassend- ein Substrat (1), das elektrisch leitend ist oder mit einer elektrisch leitenden Schicht versehen ist,- eine erste Isolatorschicht (2) und eine zweite Isolatorschicht (3),- eine organische Halbleiterschichtenfolge (4) mit einem aktiven Bereich (4a), welcher im Betrieb Licht generiert oder empfängt,- eine erste Elektrode (5) und eine zweite Elektrode (6), wobei die erste Elektrode (5) oder die zweite Elektrode (6) mit dem Substrat (1) elektrisch leitend verbunden ist, und- eine Verkapselung (7), welche die organische Halbleiterschichtenfolge (4) und die erste Isolatorschicht (2) vollständig und die zweite Isolatorschicht (3) und die erste Elektrode (5) oder die zweite Elektrode (6) teilweise abdeckt, wobei- die erste Elektrode (5) zwischen der organischen Halbleiterschichtenfolge (4) und der ersten Isolatorschicht (2) angeordnet ist, die zweite Elektrode (6) auf der organischen Halbleiterschichtenfolge (4) angeordnet ist, und wobei die erste Elektrode (5) und/oder die zweite Elektrode (6) zumindest teilweise auf der zweiten Isolatorschicht (3) angeordnet ist, und- bei dem die zweite Isolatorschicht (3) auf einer Oberseite (1a) des Substrats (1) angeordnet ist und die erste Isolatorschicht (2) auf der zweiten Isolatorschicht (3) angeordnet ist, wobei die erste Elektrode (5) oder die zweite Elektrode (6) mittels einer Durchkontaktierung (9) durch die zweite Isolatorschicht (3) mit dem Substrat (1) elektrisch leitend verbunden ist. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising a substrate (1), a first insulator layer (2), and a second insulator layer (3). Furthermore, the semiconductor component (10) comprises an organic semiconductor layer sequence (4) having an active area (4a) which, during operation, generates or receives light, a first electrode (5) and a second electrode (6), and encapsulation (7) which covers the organic semiconductor layer sequence (4) and the first insulator layer (2) completely and covers the second insulator layer (3) and the first electrode (5) or the second electrode (6) partially. Here, the first electrode (5) is arranged between the organic semiconductor layer sequence (4) and the first insulator layer (2), and the second electrode (6) is arranged on the organic semiconductor layer sequence (4), wherein the first electrode (5) and/or the second electrode (6) is/are at least partly arranged on the second insulator layer (3).