Verfahren zur Bewertung eines Halbleitersubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats

Verfahren zur Bewertung eines Halbleitersubstrats (W),das die Qualität des Halbleitersubstrats (W) durch eine Photolumineszenz-Messung bewertet, wobeidie Bewertung durch die Photolumineszenz-Messung, nach einem Unterwerfen einer Oberfläche eines Bewertungs-Zielhalbleitersubstrats einer Vorbehandlung, ein Bestrahlen der Oberfläche mit Anregungslicht und dann ein Erfassen der Emission umfasst, die von der Oberfläche erhalten wird, die mit dem Anregungslicht bestrahlt wurde;wobei die Bewertung durchgeführt wird basierend auf:einem Mittelwert der Emissions-Intensitäten, die an verschiedenen Abschnitten innerhalb der mit dem Anregungslicht bestrahlten Oberfläche erfassten Emission, odereiner Verteilungsinformation in der Ebene von Emissions-Intensitäten der an verschiedenen Abschnitten innerhalb der mit dem Anregungslicht bestrahlten Oberfläche erfassten Emission; unddie Vorbehandlung ein Unterwerfen der Oberfläche des mit dem Anregungslicht zu bestrahlenden Bewertungs-Zielhalbleitersubstrats einer Oxidschichtbildungsbehandlung und ein Aufladen der Oberfläche der gebildeten Oxidschicht durch Koronaentladung umfasst. Provided is a method of evaluating a semiconductor substrate, which evaluates quality of the semiconductor substrate by a photoluminescence measurement, wherein the evaluation by the photoluminescence measurement includes, after subjecting a surface of an evaluation-target semiconductor substrate to a pretreatment, irradiating the surface with excitation light, and then detecting emission obtained from the surface having been irradiated with the excitation light, and the pretreatment includes subjecting the surface of the evaluation-target semiconductor substrate to be irradiated with the excitation light to an oxide film formation treatment and charging the surface of the formed oxide film by corona discharge.