Verfahren zum Bewerten einer Defektregion eines Halbleitersubstrats

Verfahren zum Bewerten einer Defektregion eines Halbleitersubstrats auf der Grundlage von Kapazitäts-Spannungs-Charakteristika, im Folgenden C-V-Charakteristika genannt, einer Metall-Oxid-Silizium-Struktur, im Folgenden MOS-Struktur genannt, die auf dem Halbleitersubstrat gebildet wird, wobei das Verfahren umfasst:Bestimmen einer Beziehung zwischen einer Defektregion und einer Flachbandspannung oder festen Ladungsdichte unter Verwendung eines Halbleitersubstrats mit einer bekannten Defektregion unter einer Wärmebehandlungsbedingung und einer C-V-Charakteristikbewertungsbedingung, die mit Bedingungen zum Bewerten einer Defektregion eines zu bewertenden Halbleitersubstrats identisch sind; undBestimmen einer Flachbandspannung oder einer festen Ladungsdichte des zu bewertenden Halbleitersubstrats aus C-V-Charakteristika einer MOS-Struktur, die auf dem zu bewertenden Halbleitersubstrat gebildet wird, und Identifizieren der Defektregion des zu bewertenden Halbleitersubstrats auf der Grundlage der Beziehung zwischen einer Defektregion und einer Flachbandspannung oder festen Ladungsdichte, die zuvor bestimmt wurde, wodurch die Defektregion des Halbleitersubstrats bewertet wird,wobei das Identifizieren der Defektregion des zu bewertenden Halbleitersubstrats das Identifizieren der Defektregion als V-Region, bei der Leerstellen dominant sind, als Nv-Region, die eine N-Region ist, bei der Leerstellen dominant sind, als Ni-Region, die eine N-Region ist, bei der interstitielles Silizium dominant ist, oder als I-Region umfasst, bei der interstitielles Silizium dominant ist. A method evaluates a defect region of a semiconductor substrate based on C-V characteristics of a MOS structure formed on the semiconductor substrate, including determining a relationship between defect region and flat band voltage or fixed charge density by using a semiconductor substrate having a known defect region, under a heat treatment condition and a C-V characteristic evaluating condition identical to conditions for evaluating a defect region of a semiconductor substrate to be evaluated, determining a flat band voltage or a fixed charge density of the semiconductor substrate to be evaluated from C-V characteristics of a MOS structure formed on the semiconductor substrate to be evaluated, and identifying the defect region of the semiconductor substrate to be evaluated based on the relationship between defect region and flat band voltage or fixed charge density previously determined, whereby the