Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung (1), mit:einem ersten Graben (611), der in einer vorderen Oberfläche eines Halbleitersubstrats (10) bereitgestellt ist;einem zweiten Graben (612), der in der vorderen Oberfläche bereitgestellt ist, sich in eine von einer Richtung des ersten Grabens (611) verschiedene Richtung erstreckt und bei einer Draufsicht auf die vordere Oberfläche den ersten Graben (611) schneidet;einer Gateisolationsschicht (62), die die inneren Oberflächen des ersten Grabens (611) und des zweiten Grabens (612), sowie eine innere Oberfläche einer Überschneidung (30) des ersten Grabens (611) mit dem zweiten Graben (612) bedeckt;einer Gateelektrode (63), die in dem ersten Graben (611) und dem zweiten Graben (612) bereitgestellt ist, und dem Halbleitersubstrat (10) über die Gateisolationsschicht (62) zugewandt ist;einem ersten Halbleitergebiet (24) einer ersten Leitfähigkeitsart, das in dem Halbleitersubstrat (10) bereitgestellt und an der vorderen Oberfläche freigelegt ist, und das mit der Gateisolationsschicht (62) in dem zweiten Graben (612) in Kontakt steht, aber nicht mit der die innere Oberfläche der Überschneidung (30) des ersten Grabens (611) mit dem zweiten Graben (612) bedeckenden Gateisolationsschicht (62) in Kontakt steht;einem zweiten Halbleitergebiet (23) einer zweiten Leitfähigkeitsart, das in dem Halbleitersubstrat (10) bereitgestellt ist, und mit der Gateisolationsschicht (62) in dem zweiten Graben (612) an einer tieferen Seite als das erste Halbleitergebiet (24) in Kontakt steht; undeinem dritten Halbleitergebiet (22) der ersten Leitfähigkeitsart, das in dem Halbleitersubstrat (10) bereitgestellt ist, mit der Gateisolationsschicht (62) in dem zweiten Graben (612) an einer tieferen Seite als das zweite Halbleitergebiet (23) in Kontakt steht, und von dem ersten Halbleitergebiet (24) durch das zweite Halbleitergebiet (23) getrennt ist, wobeidas erste Halbleitergebiet (24) auf einer Seite des zweiten Grabens (612) bereitgestellt ist, und das erste Halbleitergebiet (24) auf einer anderen Seite des zweiten Grabens (612) nicht bereitgestellt ist,die Halbleitervorrichtung ferner aufweist:eine Vielzahl von ersten Gräben (611) und eine Vielzahl von zweiten Gräben (612),wobei die Vielzahl von ersten Gräben (611) und die Vielzahl von zweiten Gräben (612) bei der Draufsicht auf die vordere Oberfläche in einem gitterartigen Muster angeordnet sind, unddas erste Halbleitergebiet (24) nicht mit der Gateisolationsschicht (62) in den ersten Gräben (611) in Kontakt