Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung (100), die Folgendes aufweist:- ein Halbleiterelement (5), das Folgendes aufweist:- ein Halbleitersubstrat (1),- eine Isolierschicht (2), die auf einer Vorderfläche (1A) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und eine Öffnung hat,- eine Elektrode (3), die in der Öffnung an der Vorderfläche (1A) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist;- eine erste Schutzschicht (9), die so angeordnet ist, dass sie das Halbleiterelement (5) bedeckt; und- eine zweite Schutzschicht (4), welche zumindest einen Teil der Elektrode (3) und zumindest einen Teil der Isolierschicht (2) berührt und eine Öffnung hat, die die Elektrode (3) auf der Isolierschicht (2) freilegt,- wobei der Elastizitätsmodul der Isolierschicht (2) größer ist als der jeweilige Elastizitätsmodul der ersten Schutzschicht (9) und der zweiten Schutzschicht (4),- wobei die Isolierschicht (2) eine Dicke von nicht weniger als 1/500 der Dicke des Halbleitersubstrats (1) und nicht mehr als 4 µm hat, und- wobei die Isolierschicht (2) eine Druckbeanspruchung pro Schichtdicke von nicht weniger als 100 MPa/µm hat. A semiconductor device includes: a semiconductor element which includes semiconductor substrate, an insulating film formed on a front surface of the semiconductor substrate and having an opening, and an electrode formed in the opening on the front surface of the semiconductor substrate; and a first protective film disposed to cover the semiconductor element. The insulating film has a thickness of not less than 1/500 of a thickness of the semiconductor substrate and not more than 4 μm. The insulating film has a compressive stress per film thickness of not less than 100 MPa/μm.