Verfahren zum Polieren eines Halbleiter-Substrats

Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Polieren eines Halbleiter-Substrats umfassend einen Zwischen-Polierschritt des Polierens auf eine solche Weise, dass die Anzahl an Oberflächenfehlern mit Höhen weniger als 3 nm 45% oder mehr der Gesamtanzahl von Oberflächenfehlern auf der Oberfläche eines Halblei...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Haba, Shinichi, Nakauchi, Tatsuya, Miyamoto, Akiko, Sugita, Noriaki, Teramoto, Masashi
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS GRINDING MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS PERFORMING OPERATIONS POLISHES POLISHING SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Polieren eines Halbleiter-Substrats umfassend einen Zwischen-Polierschritt des Polierens auf eine solche Weise, dass die Anzahl an Oberflächenfehlern mit Höhen weniger als 3 nm 45% oder mehr der Gesamtanzahl von Oberflächenfehlern auf der Oberfläche eines Halbleiter-Substrats wird, und einen finalen Polierschritt des Polierens des Halbleiter-Substrats nach dem Zwischen-Polierschritt. Proposed is a method for polishing a semiconductor substrate including an intermediate polishing step of polishing in such a way that the number of surface defects having heights of less than 3 nm is 45% or more of the total number of the surface defects on the surface of a semiconductor substrate, and a final polishing step of finish-polishing the semiconductor substrate after the intermediate polishing step.