Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und Halbleiterwafer-Inspektionsverfahren

Die vorliegende Erfindung stellt eine Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und ein Halbleiterwaferinspektionsverfahren bereit, das eine Ausdehnung in einem Halbleiterwafer aufgrund eines Temperaturunterschiedes zwischen der Montagefläche eines Tisches und dem Halbleiterwafer unterdrücken kann. In einer Testeinrichtung (10) der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterwafer W in einem Vorheizschritt unter Verwendung eines Ofens (54) auf eine zweite Temperatur geheizt, die kleiner oder gleich einer ersten Temperatur ist, und dann wird der Halbleiterwafer W an einer Montagefläche (18) eines Tisches (20) platziert, der auf die erste Temperatur geheizt ist. Demzufolge ist es möglich, eine Ausdehnung des Halbleiterwafers zu unterdrücken, die nach der Platzierung des Halbleiterwafers W an der Montagefläche (18) auftritt, da ein Temperaturunterschied zwischen der Montagefläche (18) des Tisches (20) und dem Halbleiterwafer W in der Testeinrichtung (10) reduziert wird. The present invention provides a semiconductor wafer inspection apparatus and a semiconductor wafer inspection method that can suppress warpage in a semiconductor wafer due to a temperature difference between the mounting surface of a table and the semiconductor wafer. In a prober of the present invention, a semiconductor wafer is heated to have a second temperature which is equal to or lower than a first temperature in a preheating step using an oven, and then the semiconductor wafer is placed on a mounting surface of a table which is heated to the first temperature. Thus, because a temperature difference between the mounting surface of the table and the semiconductor wafer is reduced in the prober, it is possible to suppress warpage in the semiconductor wafer that occurs right after the semiconductor wafer is placed on the mounting surface.