Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung und Halbleiterwafer-Inspektionsverfahren

Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung (10), die eine Messeinrichtung (22) mit einer auf einem Halbleiterwafer (W) ausgebildeten Halbleitervorrichtung in Kontakt bringt, der an einem geheizten Tisch (20) platziert ist, und elektrische Eigenschaften der Halbleitervorrichtung inspiziert, umfassend: Hau...

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Hauptverfasser: Takahashi, Takenori, Yamaguchi, Akira, Motoyama, Takashi, Shigesawa, Yuji, Ishimoto, Takashi
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleiterwaferinspektionsvorrichtung (10), die eine Messeinrichtung (22) mit einer auf einem Halbleiterwafer (W) ausgebildeten Halbleitervorrichtung in Kontakt bringt, der an einem geheizten Tisch (20) platziert ist, und elektrische Eigenschaften der Halbleitervorrichtung inspiziert, umfassend: Haupt-Heizmittel, die zum Heizen einer an dem Tisch ausgebildeten Montagefläche zur Befestigung des Halbleiterwafers (W) konfiguriert sind; Vorheizmittel (54), die zum Vorheizen des Halbleiterwafers (W) konfiguriert sind; und Beförderungsmittel (48), die zur Beförderung des Halbleiterwafers (W) zu den Vorheizmitteln (54) und zur Beförderung des durch die Vorheizmittel (54) vorgeheizten Halbleiterwafers (W) zum Tisch (20) konfiguriert sind, wobei die Vorheizmittel (54) den Halbleiterwafer (W) in einem Zustand vorheizen, in dem der Halbleiterwafer (W) durch die Beförderungsmittel (48) gehalten wird. The present invention provides a semiconductor wafer inspection apparatus and a semiconductor wafer inspection method that can suppress warpage in a semiconductor wafer due to a temperature difference between the mounting surface of a table and the semiconductor wafer. In a prober of the present invention, a semiconductor wafer is heated to have a second temperature which is equal to or lower than a first temperature in a preheating step using an oven, and then the semiconductor wafer is placed on a mounting surface of a table which is heated to the first temperature. Thus, because a temperature difference between the mounting surface of the table and the semiconductor wafer is reduced in the prober, it is possible to suppress warpage in the semiconductor wafer that occurs right after the semiconductor wafer is placed on the mounting surface.