Vorrichtung zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls

Vorrichtung zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls auf der Grundlage eines Czochralski-Verfahrens, die mit einer Kammer mit einer Heizeinrichtung darin zum Erwärmen eines Rohstoffs und einem Kühlmedium ausgestattet ist, um die Kammer mit einem Kühlmedium zu kühlen, wobei die Vorrichtung umfasst:Messmittel zum Messen einer Einlasstemperatur, einer Auslasstemperatur und einer Durchflussmenge in einem Durchgang des Kühlmediums, um die Kammer unter Durchströmen der Kammer zu kühlen;Berechnungsmittel zum Berechnen einer von der Kammer abgeleiteten Wärmemenge auf der Grundlage der Messwerte der Einlasstemperatur, der Auslasstemperatur und der Durchflussmenge; undHeizeinrichtungsleistungssteuerungsmittel zum Steuern der Leistung der Heizeinrichtung auf der Grundlage des berechneten Werts der abgeleiteten Wärmemenge mittels eines Heizeinrichtungsleistungssteuermittels, wobei das Heizeinrichtungsleistungssteuerungsmittel mit einer Funktion zum Berechnen eines Schemas von vorgegebenen Leistungswerten der Heizeinrichtung in einem Prozess zum Bilden eines geraden Körpers beim nächsten Ziehen auf der Grundlage von Betriebsergebnisdaten der von der Kammer abgeleiteten Wärmemenge ausgestattet ist, die durch das Ziehen eines Silizium-Einkristalls erhalten wurden und das Schema der vorgegebenen Leistungswerte der Heizeinrichtung in einem Prozess zum Bilden eines geraden Körpers beim nächsten Ziehen so berechnet wird, dass die vorgegebenen Leistungswerte der Heizeinrichtung auf den Schemakorrekturwert ,,W" der Leistung der Heizeinrichtung rückwirken, der durch die folgende Gleichung bestimmt wird:W=Ws−(Ha−Hb)worin ,,W" den Schemakorrekturwert der Leistung der Heizeinrichtung darstellt, Wseinen Leistungswert der Heizeinrichtung zum Beginn des Prozesses zum Bilden des geraden Körpers darstellt, Haeine abgeleitete Wärmemenge zum Beginn des Prozesses zum Bilden des geraden Körpers darstellt und Hbden berechneten Wert der abgeleiteten Wärmemenge im Prozess zum Bilden des geraden Körpers darstellt. An apparatus for producing a silicon single crystal by a Czochralski method with a chamber having a heater therein to heat a raw material and to cool the chamber by a coolant, including: measuring an inlet temperature, outlet temperature, and flow rate in a passage of the coolant to cool the chamber with flowing in the chamber; calculating a removed heat quantity from the chamber based on the measured values of the inlet temperature, outlet temperature, and flow rate; controlling h