Silicium-Einkristall-Erzeugungsverfahren

Verfahren zur Erzeugung eines Silicium-Einkristalls durch das Czochralski-Verfahren unter Verwendung einer Einkristall-Ziehanlage, worin ein Wärmeschirm um einen Silicium-Einkristall angeordnet ist, der gezogen wird, so daß er mit einer Ziehachse konzentrisch ist, dadurch gekennzeichnet, daßeine Sauerstoffkonzentration in dem Kristall gesteuert wird durch Einstellung, entsprechend eines Zwischenraum-zu-Kristall-Durchmesser-Verhältnisses, einer Fließgeschwindigkeit eines Inertgases, das in die Einkristall-Ziehanlage in einem Zwischenraumbereich zwischen einer äußeren Oberfläche des Einkristalls und einer unteren End-Öffnungskante des Wärmeschirms eingeführt wird, wobei das Zwischenraum-zu-Kristall-Durchmesser-Verhältnis durch Dividieren einer Fläche des Zwischenraumbereiches durch eine Fläche eines Querschnittes senkrecht zu der Ziehachse des Einkristalls erhalten wird, wobeidie Sauerstoffkonzentration in dem Kristall gesteuert wird durch Einstellung der Fließgeschwindigkeit des Inertgases auf der Basis, daß,wenn das Zwischenraum-zu-Kristall-Durchmesser-Verhältnis 0,27 bis 0,45 ist, eine Inertgas-Fließgeschwindigkeit in dem Zwischenraumbereich zwischen dem Einkristall und dem Wärmeschirm und die Sauerstoffkonzentration in dem Kristall eine negative Korrelation haben, und,wenn das Zwischenraum-zu-Kristall-Durchmesser-Verhältnis 0,72 bis 0,92 ist, die Inertgas-Fließgeschwindigkeit in dem Zwischenraumbereich und die Sauerstoffkonzentration in dem Kristall eine positive Korrelation haben. There is provided a silicon single crystal producing method in producing a silicon single crystal by the Czochralski method using a pulling apparatus including a heat shield, wherein an oxygen concentration in the crystal is controlled through the adjustment of a flow velocity of inert gas introduced into the apparatus at the gap portion between an exterior surface of the single crystal and a lower-end opening edge of the heat shield, in accordance with a gap-to-crystal-diameter ratio ("the area of the gap portion"/"the area of a cross-sectional of the single crystal"). By this producing method, it is possible to appropriately control the oxygen concentration in the pulled single crystal.