Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements

Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Siliziumoberfläche,- Aufwachsen einer Pufferschicht (2), die AlxInyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist, auf die Siliziumoberfläche,- Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Pufferschicht (2), wobei- die Pufferschicht (2) eine derart variierende Materialzusammensetzung aufweist, dass eine laterale Gitterkonstante der Pufferschicht (2) in einem ersten Bereich (2a) schrittweise oder kontinuierlich zunimmt und in einem zweiten Bereich (2b), der dem ersten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, und- die Pufferschicht (2) an einer Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge (3) eine kleinere laterale Gitterkonstante aufweist als eine an die Pufferschicht (2) angrenzende Halbleiterschicht (4) der Halbleiterschichtenfolge (3),- wobei das Nitridverbindungshalbleiter-Bauelement ein optoelektronisches Bauelement ist, und die Halbleiterschichtenfolge (3) eine Leuchtdiodenschichtenfolge ist, die eine aktive Schicht (5) aufweist. A method is provided for producing a nitride compound semiconductor device. A growth substrate has a silicon surface. A buffer layer, which comprises AlxInyGa1-x-yN with 0≦x≦1, 0≦y≦1 and x+y≦1, is grown onto the silicon surface of the substrate. A semiconductor layer sequence is grown onto the buffer layer. The buffer layer includes a material composition that varies in such a way that a lateral lattice constant of the buffer layer increases stepwise or continuously in a first region and decreases stepwise or continuously in a second region, which follows the first region in the growth direction. At an interface with the semiconductor layer sequence, the buffer layer includes a smaller lateral lattice constant than a semiconductor layer of the semiconductor layer sequence adjoining the buffer layer.