Techniken zur Verbesserung der Bruchfestigkeit von Verbindungen

Es werden Techniken und Strukturen zur Verbesserung der Bruchfestigkeit von Back-end-Verbindungen und anderen derartigen Verbindungsstrukturen durch Erhöhen der Durchkontaktierungsdichte beschrieben. Eine erhöhte Durchkontaktierungsdichte kann zum Beispiel in den Füll/Dummy-Abschnitten von benachbarten Schaltkreisschichten in einem Die bereitgestellt werden. In einigen Fällen kann eine elektrisch isolierte (potentialfreie) Füllleitung einer oberen Schaltkreisschicht eine Durchkontaktierung enthalten, die auf einer potentialfreien Füllleitung einer unteren Schaltkreisschicht in einer Region landet, wo die Füllleitungen einander kreuzen/schneiden. In einigen derartigen Fällen kann die potentialfreie Füllleitung der oberen Schaltkreisschicht als eine Dual-Damascene-Struktur ausgebildet sein, die eine solche Durchkontaktierung enthält. Bei einigen Ausführungsformen kann eine Durchkontaktierung in ähnlicher Weise zwischen einer potentialfreie Füllleitung der oberen Schaltkreisschicht und einer ausreichend elektrisch isolierten Verbindungsleitung der unteren Schaltkreisschicht vorgesehen sein. Die Techniken/Struktur können verwendet werden, um für mechanische Festigkeit für den Die zu sorgen. Techniques and structure are disclosed for enhancing fracture resistance of back-end interconnects and other such interconnect structures by increasing via density. Increased via density can be provided, for example, within the filler/dummified portion(s) of adjacent circuit layers within a die. In some cases, an electrically isolated (floating) filler line of an upper circuit layer may include a via which lands on a floating filler line of a lower circuit layer in a region corresponding to where the filler lines cross/intersect. In some such cases, the floating filler line of the upper circuit layer may be formed as a dual-damascene structure including such a via. In some embodiments, a via similarly may be provided between a floating filler line of the upper circuit layer and a sufficiently electrically isolated interconnect line of the lower circuit layer. The techniques/structure can be used to provide mechanical integrity for the die.