Halbleiterelement-Fertigungsverfahren

Halbleiterelement-Fertigungsverfahren, aufweisend die Schritte:Ausschneiden eines Ringbereichs (10B) eines Wafers (10) mit Laserlicht, um einen flachen Wafer (11) auszubilden, wobei der Ringbereich (10B) an einem Umfang des Wafers (10) und dicker als ein Mittenbereich (10A) des Wafers (10) ausgebildet wird, wobei der Wafer eine erste Oberfläche (10a) und eine zweite Oberfläche (10b) gegenüber der ersten Oberfläche (10a) aufweist, wobei die erste Oberfläche (10a) des Wafers (10) durch Ansaugen auf einer Vakuumplattform (14) gehalten wird;Befestigen der ersten Oberfläche (10a) an einem Zerteilungsband (20) nach dem Abnehmen des flachen Wafers (11) von der Vakuumplattform (14), wobei die zweite Oberfläche (10b) des flachen Wafers (11) durch Ansaugen von einem Vakuum-Endeffektor (12) gehalten wird; undZerteilen des flachen Wafers (11), der an dem Zerteilungsband (20) befestigt ist,wobei in dem Schneideschritt der Ringbereich (10B) von dem Wafer (10) ausgeschnitten wird, nachdem ein Mittenbereich (10A) der zweiten Oberfläche (10b) mit einem Gummiring (410) und einer staubdichten Abdeckung (412) bedeckt worden ist. According to the present invention, a semiconductor-element manufacturing method including the steps of cutting out a ring portion of a wafer with laser light to form a flat wafer, the ring portion being formed on a periphery of the wafer and thicker than a central portion of the wafer, the wafer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, with the first surface of the wafer being held on a vacuum stage by suction, attaching the first surface to dicing tape after detaching the flat wafer from the vacuum stage with the second surface of the flat wafer being held by a vacuum end-effector by suction, and dicing the flat wafer attached to the dicing tape.