Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung (2, 102, 202, 302, 402, 502) mit:einer Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a, 14b, 14c), die in einer Draufsicht eines Substrats (8) der Halbleitervorrichtung einen aktiven Bereich umgeben, in dem ein Halbleiterelement gebildet ist;einer Isolationsschicht (5), die auf einer Hauptoberfläche des Substrats (8) bereitgestellt ist und die die Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a, 14b, 14c) abdeckt; undeiner Halbleiterschicht (3, 103, 203), die in der Isolationsschicht (5) bereitgestellt ist, wobei die Halbleiterschicht (3, 103, 203) den aktiven Bereich in der Draufsicht umgibt und parallel zu der Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a, 14b, 14c) ist, wobeidie Halbleiterschicht (3, 103, 203) Störstellen bei einer Oberflächendichte beinhaltet, die niedriger als eine Oberflächendichte einer RESURF-Bedingung ist, unddie Halbleiterschicht (3, 103, 203) in der Draufsicht mit einem Abschnitt eines Zwischenringbereichs (Ra) zwischen benachbarten Feldbegrenzungsringen (14a, 14b, 14c) überlappt und mit einem Rest des Zwischenringbereichs (Ra) nicht überlappt, wobeiin der Draufsicht die Halbleiterschicht (3, 103, 203) einem der Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a) gegenüberliegt und sich über den Zwischenringbereich (Ra) erstreckt, der benachbart zu dem einen der Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a) ist,ein Abschnitt der Halbleiterschicht (3, 103, 203), der mit dem Zwischenringbereich (Ra) in der Draufsicht überlappt, einen Niedrige-Oberflächendichte-Bereich umfasst, der die Störstellen bei einer Oberflächendichte beinhaltet, die niedriger als die Oberflächendichte der RESURF-Bedingung ist, undein Abschnitt der Halbleiterschicht (3, 103, 203), der dem einen der Vielzahl von Feldbegrenzungsringen (14a) gegenüberliegt, einen Hohe-Oberflächendichte-Bereich umfasst, der die Störstellen bei einer Oberflächendichte beinhaltet, die höher als die Oberflächendichte der RESURF-Bedingung ist. Provided is a semiconductor device in which movable ions in an insulation layer on a main surface are reduced and dielectric strength is enhanced. A semiconductor device has a plurality of FLRs, an insulation layer, and a semiconductor layer. The plurality of FLRs surrounds, in a plan view of a substrate, an active region in which an element is formed. The insulation layer is provided on the main surface of the semiconductor device and covers the plurality of FLRs. The semiconductor layer is provided in the insulation layer and surrounds the active region in