Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip (2) aufweisend die folgenden Schritte:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1), wobei der Halbleiterwafer (1) ein Trägersubstrat (5) und wenigstens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei der Halbleiterchip (2) eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und wobei an einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des Halbleiterchips (2) wenigstens ein Kontaktbereich (3) ausgebildet ist,- elektrophoretisches Abscheiden eines Materials (7) auf der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht, wobei ein Abscheiden des Materials (7) auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (3) verhindert wird,- Aufbringen eines anorganischen Matrixmaterials (8) auf wenigstens einen Teilbereich einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zur Fixierung des Materials (7) auf dem Halbleiterchip (2), wobei- eine Metalloxid Schicht zumindest auf dem Teilbereich der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) als Matrixmaterial (8) ausgebildet wird und- die Metalloxid Schicht in einem plasmaunterstützten Gasphasenabscheidungsprozess aufgebracht wird, und wobei ein Tetraethylorthosilikat als Ausgangsmaterial zur Verfügung gestellt wird, um die Metalloxid Schicht auf zumindest dem Teilbereich der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) abzuscheiden. A method can be used for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip. A semiconductor wafer has a carrier substrate and at least one semiconductor chip. The at least one semiconductor chip has an active zone for generating electromagnetic radiation. At least one contact area is formed on a surface of the at least one semiconductor chip facing away from the carrier substrate. A material is electrophoretically deposited on the surface of the at least one semiconductor chip facing away from the carrier substrate in order to form the electrophoretically deposited layer. Deposition of the material on the at least one contact area is prevented. An inorganic matrix material is applied to at least one section of a surface of the semiconductor wafer facing away from the carrier substrate in order to fix the material on the at least one semiconductor chip.