Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene und Verfahren zu dessen Herstellung

Es werden ein Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene und ein Verfahren zu dessen Herstellung offengelegt. Zum Leuchtdiodenarray gehören: ein Wachstumssubstrat; eine Mehrzahl von auf dem Substrat angeordneten Leuchtdioden, wobei jede aus der Mehrzahl von Leuchtdioden eine erste Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht einschließt; und eine Mehrzahl von oberen, auf der Mehrzahl von Leuchtdioden angeordneten und aus dem gleichen Material gebildeten Elektroden, wobei die Mehrzahl von oberen Elektroden mit der ersten Halbleiterschicht der entsprechenden Leuchtdiode elektrisch verbunden ist. Außerdem ist mindestens eine der oberen Elektroden mit der zweiten Halbleiterschicht der daran angrenzenden Leuchtdiode elektrisch verbunden und die andere der oberen Elektroden ist von der zweiten Halbleiterschicht der daran angrenzenden Leuchtdiode isoliert. Somit ist ein Leuchtdiodenarray vorgesehen, das bei hoher Spannung betrieben werden kann und ein vereinfachtes Herstellungsverfahren aufweist.