Dünnfilm-Thermistorelement und Verfahren des Herstellens desselben

Ein Dünnfilm-Thermistorelement (1, 10), aufweisend:eine Basissubstanz (2),einen Thermistor-Dünnfilm (5, 5A, 5B), welcher auf der Basissubstanz (2) ausgebildet ist; undwenigstens ein Paar von Elektroden (3, 4), welche auf, unter oder innerhalb des Thermistor-Dünnfilms (5, 5A, 5B) ausgebildet sind, wobeidas eine Paar von Elektroden (3, 4) jeweils eine Elektrodenschicht aufweist, welche aus Platin oder einer Legierung daraus hergestellt ist, unddie Elektrodenschicht kristallin ist,wobei die Elektrodenschicht wenigstens eines von Sauerstoff und Stickstoff enthält und ein Gehalt von dem wenigstens einem von Sauerstoff und Stickstoff in der Elektrodenschicht einschließlich 0,01 Gewichtsprozent bis einschließlich 4,9 Gewichtsprozent beträgt. Provided is a thin-film thermistor element including a Si substrate 2, a thermistor thin film 5 formed on the Si substrate 2, and an electrode 3 made of platinum, an alloy thereof or the like and formed on, under or inside the thermistor thin film 5. The electrode 3 is formed from a film deposited containing oxygen and nitrogen and then crystallized by heat treatment.