Verbesserte Transkonduktanzschaltung

Transkonduktanzschaltung, die Folgendes umfasst:einen komplementären Satz von Differenzialtransistorpaaren, mit einem ersten n-Transistorpaar (QU; QU) mit Emittern, die gemeinsam mit einem ersten gemeinsamen Knoten (N1) gekoppelt sind und entsprechenden Kollektoren, die mit einem ersten Paar von Ausgangsanschlüssen (I) für die Transkonduktanzschaltung gekoppelt sind, und einem ersten p-Transistorpaar (QL; QL) mit Emittern, die gemeinsam mit einem zweiten gemeinsamen Knoten (N2) gekoppelt sind und entsprechenden Kollektoren, die mit einem zweiten Paar von Ausgangsanschlüssen (I) für die Transkonduktanzschaltung gekoppelt sind;wobei jedes Differenzialtransistorpaar einen ersten Transistor (QU; QL) aufweist, um eine erste Eingangsspannung an dessen entsprechender Basis zu empfangen, und einen zweiten Transistor (QU; QL) aufweist, um eine zweite Eingangsspannung an dessen entsprechender Basis zu empfangen;eine Impedanz, die zwischen den ersten und zweiten gemeinsamen Knoten gekoppelt ist;eine Doppelschaltung aufweisend:einen ersten Satz von komplementären Differenzialtransistorpaaren mit einem zweiten n-Differenzialtransistorpaar (QU; QU) und einem zweiten p-Differenzialtransistorpaar (QL; QL); undeinen zweiten Satz von komplementären Differenzialtransistorpaaren mit einem dritten n-Differenzialtransistorpaar (QU; QU) und einem dritten p-Differenzialtransistorpaar (QL; QL),wobei:ein erster Transistor (QU; QU; QL; QL) von jedem des zweiten und dritten n-Differenzialtransistorpaars und des zweiten und dritten p-Differenzialtransistorpaars angeordnet ist, um die erste Eingangsspannung an seiner Basis zu empfangen;ein zweiter Transistor (QU; QU; QL; QL) von jedem des zweiten und dritten n-Differenzialtransistorpaars und des zweiten und dritten p-Differenzialtransistorpaars angeordnet ist, um die zweite Eingangsspannung an seiner Basis zu empfangen;die ersten und zweiten Transistoren von jedem des zweiten und des dritten n-Differenzialtransistorpaars Emitter aufweisen, die mit einer entsprechenden Stromquelle gekoppelt sind, wobei die ersten und zweiten Transistoren Kollektoren aufweisen, die entsprechend mit dem ersten Paar der Ausgangsanschlüsse (I) gekoppelt sind;die ersten und zweiten Transistoren von jedem des zweiten und des dritten p-Differenzialtransistorpaars Emitter aufweisen, die mit einer entsprechenden Stromquelle gekoppelt sind, wobei die ersten und zweiten Transistoren Kollektoren aufweisen, die entsprechend mit dem zweiten Paar der Ausgangsanschlüss