Leistungsschaltung

Leistungsschaltung, die Folgendes aufweist:- ein Leistungshalbleiterelement (10), das ein zu einer Hauptkörperdiode (3) parallelgeschaltetes Hauptschaltelement (1) und ein zu einer Erfassungskörperdiode (4) parallelgeschaltetes Erfassungsschaltelement (2) aufweist;- eine Rückwärtsüberstrom-Detektion...

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1. Verfasser: Nakayama, Yasushi
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Leistungsschaltung, die Folgendes aufweist:- ein Leistungshalbleiterelement (10), das ein zu einer Hauptkörperdiode (3) parallelgeschaltetes Hauptschaltelement (1) und ein zu einer Erfassungskörperdiode (4) parallelgeschaltetes Erfassungsschaltelement (2) aufweist;- eine Rückwärtsüberstrom-Detektionsschaltung (7), die einen in Rückwärtsrichtung fließenden Überstrom aus den durch einen Parallelschaltungskörper des Erfassungsschaltelements (2) und der Erfassungskörperdiode (4) fließenden Strömen detektiert; und- eine Steuerschaltung (5), die ein Gate des Leistungshalbleiterelements (10) ansteuert;- wobei dann, wenn die Rückwärtsüberstrom-Detektionsschaltung einen Rückwärtsüberstrom detektiert, die Steuerschaltung (5) das Hauptschaltelement (1) und das Erfassungsschaltelement (2) zum Einschalten steuert. A power switching circuit includes a power semiconductor element that includes a main switching element connected in parallel with a main body diode and a sense switching element connected in parallel with a sense body diode; a reverse overcurrent detection circuit that detects an overcurrent flowing in the reverse direction out of currents flowing through a parallel-connection body of the sense switching element and the sense body diode; and a control circuit that drives the gate of the power semiconductor element; wherein when the reverse overcurrent detection circuit detects a reverse overcurrent, the control circuit controls the main switching element and the sense switching element to turn on.