Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:- Ausbilden einer Vielzahl von Halbleiterelementen (PD) zur Leistungssteuerung auf einem Halbleitersubstrat (S);- Bilden von das Halbleitersubstrat (S) bedeckenden Spannungsabbau-Harzschichten (7) in einem Kreuzungsbereich, in dem sich bandförmige Vereinzelungsbereiche kreuzen, die die einander benachbarten Halbleiterelemente (PD) voneinander trennen;- Ausführen einer Vereinzelung in dem Kreuzungsbereich unter Trennung der Spannungsabbau-Harzschichten (7) mittels eines Messers;- Ausführen einer Vereinzelung in den Vereinzelungsbereichen zwischen den Spannungsabbau-Harzschichten (7);- Verbinden der durch die Vereinzelung getrennten Halbleiterelemente (PD) miteinander; und- Einkapseln der Halbleiterelemente (PD) im miteinander verbundenen Zustand mittels eines unter Wärme aushärtenden Harzmaterials, wobei die Schichtdicke der Spannungsabbau-Harzschichten (7) kleiner als oder gleich 15 µm ist, und wobei eine isolierende Harzschicht (2) einen äußeren peripheren Teil einer Hauptelektrode (1) auf einer Oberfläche der Halbleiterelemente (PD) bedeckt, und wobei jedes der Halbleiterelemente (PD) vier Ecken aufweist, und wobei die vier Ecken von den Spannungsabbau-Harzschichten (7) bedeckt sind, welche eine kontinuierliche Harzschicht aus dem identischen Material wie die isolierende Harzschicht (2) sind. A plurality of semiconductor elements for power control are formed on a semiconductor substrate. A stress relaxation resin layer covering a crossing region where band-shaped dicing areas dividing the semiconductor elements adjacent to each other cross is formed. The crossing region is diced to cut the stress relaxation resin layer to obtain the separate semiconductor elements. Accordingly, even with semiconductor elements produced with a compound semiconductor substrate of SiC or the like, a semiconductor device having high adhesive strength with a sealing resin and being less likely to cause cracking or peeling of the sealing resin due to thermal stress during an operation can be obtained.