Bindungsverfahren für Wafer und Struktur der Bindungsstelle

Bindungsverfahren für Wafer, wobei ein Arbeitsschritt, in dem an der Oberfläche eines ersten Wafers (1) eine erste Bindungsstelle (3) ausgebildet wird, indem auf den ersten Wafer (1) eine Diffusionsverhinderungsschicht (7) aus einem mit AuSn schlecht benetzbaren Material geschichtet wird und an der Oberfläche dieser Diffusionsverhinderungsschicht (7), vom Rand dieser Diffusionsverhinderungsschicht (7) nach innen versetzt, eine Klebeschicht (8) ausgebildet wird, ein Arbeitsschritt, in dem an der Oberfläche eines zweiten Wafers (11) eine zweite Bindungsstelle (13) ausgebildet wird, und ein Arbeitsschritt vorgesehen sind, in dem der erste Wafer (1) und der zweite Wafer (11) einander gegenübergestellt werden und die erste Bindungsstelle (3) und die zweite Bindungsstelle (13) mittels AuSn Lötzinn eutektisch miteinander verbunden werden. A method for bonding wafers includes forming a first bonding part on a surface of a first wafer by stacking a diffusion preventing layer formed of a material having low wettability with AuSn above the first wafer and forming a bonding layer on a surface of the diffusion preventing layer such that the bonding layer stays back of an edge of the diffusion preventing layer, forming a second bonding part on a surface of a second wafer, and bonding the first bonding part and the second bonding part by eutectic bonding with an AuSn solder under a condition that the first wafer and the second wafer are opposed to each other.