Anpassung von Schwellenspannungen für Thin-Body-Mosfets

Eine Struktur beinhaltet ein Substrat; einen Transistor, der über dem Substrat angeordnet ist, wobei der Transistor eine Finne aufweist, die aus Silicium besteht, das mit Kohlenstoff implantiert ist; und eine Schicht eines Gate-Dielektrikums und eine Schicht eines Gate-Metalls, die über einem Abschnitt der Finne liegen, der einen Kanal des Transistors definiert. In der Struktur wird eine Kohlenstoffkonzentration innerhalb der Finne so gewählt, dass eine gewünschte Schwellenspannung des Transistors erreicht wird. Darüber hinaus werden Verfahren zum Fertigen eines FinFET-Transistors offenbart. Zudem wird ein planarer Transistor mit einer mit Kohlenstoff implantierten Wanne offenbart, wobei die Kohlenstoffkonzentration innerhalb der Wanne so gewählt wird, dass eine gewünschte Schwellenspannung des Transistors erreicht wird. A structure includes a substrate; a transistor disposed over the substrate, the transistor comprising a fin comprised of Silicon that is implanted with Carbon; and a gate dielectric layer and gate metal layer overlying a portion of the fin that defines a channel of the transistor. In the structure a concentration of Carbon within the fin is selected to establish a desired voltage threshold of the transistor. Methods to fabricate a FinFET transistor are also disclosed. Also disclosed is a planar transistor having a Carbon-implanted well where the concentration of the Carbon within the well is selected to establish a desired voltage threshold of the transistor.