Verfahren zum Fertigen einer Transistoreinheit

Verfahren zum Fertigen von Transistoreinheiten, das aufweist: Bereitstellen einer Siliciumschicht, die eine Schicht eines Abschirmoxids aufweist, die auf einer oberen Fläche ausgebildet Ist; Aufbringen einer ersten Maskierungsschicht in einer Weise, dass ein erster Abschnitt der Abschirmoxidschicht unbedeckt bleibt; Implantieren von Kohlenstoff in die Siliciumschicht durch den unbedeckten ersten Abschnitt der Abschirmoxidschicht, um ein erstes mit Kohlenstoff implantiertes Volumen der Siliciumschicht mit einer ersten Kohlenstoffkonzentration auszubilden; Entfernen der ersten Maskierungsschicht; Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht in einer Weise, dass ein zweiter Abschnitt der Abschirmoxidschicht unbedeckt bleibt; Implantieren von Kohlenstoff in die Siliciumschicht durch den unbedeckten zweiten Abschnitt der Abschirmoxidschicht, um ein zweites mit Kohlenstoff implantiertes Volumen der Siliciumschicht auszubilden, das eine zweite Kohlenstoffkonzentration aufweist, die sich von der ersten Kohlenstoffkonzentration unterscheidet; Entfernen der zweiten Maskierungsschicht; und ... A structure includes a substrate; a transistor disposed over the substrate, the transistor comprising a fin comprised of Silicon that is implanted with Carbon; and a gate dielectric layer and gate metal layer overlying a portion of the fin that defines a channel of the transistor. In the structure a concentration of Carbon within the fin is selected to establish a desired voltage threshold of the transistor. Methods to fabricate a FinFET transistor are also disclosed. Also disclosed is a planar transistor having a Carbon-implanted well where the concentration of the Carbon within the well is selected to establish a desired voltage threshold of the transistor.