Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene

Lichtemittierende Diodeneinheit, LED-Einheit, umfassend:einen Halbleiterstapel (30, 130), der eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (25, 125), eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (29, 129) und eine aktive Schicht (27, 127), die zwischen der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, umfasst;eine Vielzahl von Kontaktlöchern (30a, 130a), die in der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp und der aktiven Schicht angeordnet sind, wobei die Kontaktlöcher die Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp freilegen;eine auf einer ersten Seite des Halbleiterstapels angeordnete erste Erhebung (45a, 145a), wobei die erste Erhebung mit der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp über die Vielzahl von Kontaktlöchern elektrisch verbunden ist;eine auf der ersten Seite des Halbleiterstapels angeordnete zweite Erhebung (45b, 145b), wobei die zweite Erhebung mit der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp elektrisch verbunden ist;eine erste Kontaktschicht (35, 135), die die Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp in der Vielzahl von Kontaktlöchern kontaktierende erste Kontaktabschnitte (35a, 135a) und einen Verbindungsabschnitt (35b, 135b) umfasst, der die ersten Kontaktabschnitte miteinander verbindet;eine zweite Kontaktschicht (31, 131), die in Kontakt mit der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist; undein erstes Elektrodenfeld (39a, 139a), das zwischen der ersten Erhebung und der ersten Kontaktschicht angeordnet ist,wobei der Halbleiterstapel Seitenflächen aufweist, an denen die Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, die Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp und die aktive Schicht freigelegt sind,wobei eine schützende Isolierschicht vorgesehen ist, die eine erste Isolierschicht (33, 133) und eine zweite Isolierschicht (37, 137) umfasst, wobei die erste Isolierschicht zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht angeordnet ist und die zweite Kontaktschicht bedeckt, und die zweite Isolierschicht die erste Isolierschicht und die erste Kontaktschicht bedeckt, wobei die erste Isolierschicht und/oder die zweite Isolierschicht einen verteilten Bragg-Reflektor umfasst. Exemplary embodiments of the present invention provide a wafer-level light emitting diode (LED) package and a method of fabricating the same. The LED package includes a semiconductor stack including a first conductive t