Halbleiterbauelement mit isolierten Halbleiterkörperteilen und Herstellungsverfahren

Halbleiterbauelement aufweisend:einen Halbleiterkörper (102) aus einem ersten Halbleitermaterial, wobei der Halbleiterkörper (102) über einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, eine erste Breite hat und ein Kanal-Gebiet (104) und ein Paar aus Source- und Drain-Gebieten (106) auf beiden Seiten des Kanal-Gebiets (104) aufweist;einen Isolierständer (112,114), der zwischen dem Halbleiterkörper (102) und dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet und aus einem Oxid eines zweiten Halbleitermaterials gebildet ist, das vom ersten Halbleitermaterial verschieden und zum elektrischen Isolieren von mindestens einem Teil des Halbleiterkörpers (102) vom Halbleitersubstrat (110) geeignet ist, wobei der Isolierständer (112,114) eine zweite Breite hat, die parallel zur ersten Breite liegt und geringer als diese ist;einen Gateelektrodenstapel (108), der zumindest teilweise einen Teil des Kanal-Gebiets des Halbleiterkörpers (102) umschließt; undeine erste dielektrische Schicht (116), die an den Isolierständer (112,114) grenzt und über dem Halbleitersubstrat (110) liegt. Semiconductor devices with isolated body portions are described. For example, a semiconductor structure includes a semiconductor body disposed above a semiconductor substrate. The semiconductor body includes a channel region and a pair of source and drain regions on either side of the channel region. An isolation pedestal is disposed between the semiconductor body and the semiconductor substrate. A gate electrode stack at least partially surrounds a portion of the channel region of the semiconductor body.