Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Halbleitersubstrat (100), in dem ein Diodengebiet (12) und ein IGBT-Gebiet (11) ausgebildet sind, wobei das Diodengebiet (12) umfasst: eine Anodenschicht (125) eines ersten Leitfähigkeitstyps an einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrates, eine Dioden-Bodyschicht (113) des ersten Leitfähigkeitstyps, ausgebildet auf einer unteren Oberflächenseite der Anodenschicht, eine Dioden-Driftschicht (112) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, ausgebildet auf einer unteren Oberflächenseite der Dioden-Bodyschicht, eine Kathodenschicht (121) des zweiten Leitfähigkeitstyps, ausgebildet auf einer unteren Oberflächenseite der Dioden-Driftschicht (112), und mit einer höheren Dichte an Fremdatomen des zweiten Leitfähigkeitstyps als in der Dioden-Driftschicht (112), eine erste Schicht (143) innerhalb eines Diodengrabens (141), die die Dioden-Driftschicht (112) von der oberen Oberflächenseite des Halbleitersubstrates her erreicht, und eine zweite Schicht (144) in der ersten Schicht (143), und mit einem unteren Ende, das tiefer als die Grenze zwischen der Dioden-Bodyschicht (113) und der Dioden-Driftschicht (112) angeordnet ist, und wobei das IGBT-Gebiet umfasst: eine Emitterschicht (114) des zweiten Leitfähigkeitstyps an der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats, eine IGBT-Bodyschicht (113) des ersten Leitfähigkeitstyps, ausgebildet an einer lateralen Seite und an einer unteren Oberflächenseite der Emitterschicht (114), und mit einem Teil davon an der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (100), eine IGBT-Driftschicht (112) des zweiten Leitfähigkeitstyps, ausgebildet an einer unteren Oberflächenseite der IGBT-Bodyschicht (113), ... A semiconductor device including a semiconductor substrate in which a diode region and an IGBT region are formed is provided. The diode region includes a first layer embedded in a diode trench reaching a diode drift layer from an upper surface side of the semiconductor substrate, and a second layer which is buried in the first layer and which has a lower end located deeper than a boundary between a diode body layer and the diode drift layer. The second layer pressures the first layer in a direction from inside to outside of the diode trench. A lifetime control region is formed in the diode drift layer at least at the depth of the lower end of the second layer, and a crystal defect density inside the lifetime control region is higher than a crystal defect density outside the