Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

Halbleitereinrichtung (20, 21, 22), die aufweist:ein Halbleitersubstrat (200);eine Hauptelektrode (220; 250; 270), die eine erste Metallschicht (221; 251; 271), die auf einer Oberfläche eines Elementbildungsfeldes des Halbleitersubstrats (200) gebildet ist, und eine zweite Metallschicht (222; 252; 272), die mit einer Fläche der ersten Metallschicht (221; 251; 271), die einer Seite, auf der das Halbleitersubstrat (200) lokalisiert ist, gegenüber liegt, verbunden ist und einen anderen Seebeck-Koeffizienten als die erste Metallschicht (221; 251; 271) hat, aufweist; undeinen Erfassungsanschluss (224, 234, 241, 242; 261, 262, 263, 264; 281, 282), der eine Potentialdifferenz zwischen der ersten Metallschicht (221; 251; 271) und der zweiten Metallschicht (222; 252; 272) erfassen kann,dadurch gekennzeichnet, dassdie erste Metallschicht (221; 251; 271) in Kontakt mit der Oberfläche des Halbleitersubstrats (200) ist. A semiconductor device that is equipped with a semiconductor substrate, a composite metal film, and a detection terminal is provided. The composite metal film is formed on a surface or a back face of the semiconductor substrate, and has a first metal film, and a second metal film that is joined to the first metal film and is different in Seebeck coefficient from the first metal film. The detection terminal can detect a potential difference between the first metal film and the second metal film.