Bondhügellose Aufbauschicht- und Laminatkernhybridstrukturen und Verfahren für ihre Montage

Halbleiterbauelement (109), das Folgendes aufweist:einen Halbleiter-Chip (118), der in eine bondhügellose Aufbauschicht-Struktur, BBUL-Struktur, (102) eingebettet ist; undeine Laminatkernstruktur (148), die an die BBUL-Struktur anstößt (144), wobei die Laminatkernstruktur (148) und die BBUL-Struktur...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hlad, Mark S, Manusharow, Mathew J, Nalla, Ravi K
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Halbleiterbauelement (109), das Folgendes aufweist:einen Halbleiter-Chip (118), der in eine bondhügellose Aufbauschicht-Struktur, BBUL-Struktur, (102) eingebettet ist; undeine Laminatkernstruktur (148), die an die BBUL-Struktur anstößt (144), wobei die Laminatkernstruktur (148) und die BBUL-Struktur durch einen elektrisch leitfähigen Körper (162) elektrisch gekoppelt sind, der in beide integriert ist,wobei der elektrisch leitfähige Körper (162) ein Hohlzylinder ist, der an seinem BBUL-strukturseitigen Ende (144) geschlossen ist. A structure includes a hybrid substrate for supporting a semiconductive device that includes a bumpless build-up layer in which the semiconductive device is embedded and a laminated-core structure. The bumpless build-up layer and the laminated-core structure are rendered an integral apparatus by a reinforcement plating that connects to a plated through hole in the laminated-core structure and to a subsequent bond pad of the bumpless build-up layer structure.