Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers und epitaktischer Wafer

Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers (100), das umfasst:einen Schritt des Herstellens eines Halbleiter-Wafers (10), der einen abgeschrägten Abschnitt (11), der an seinem Endabschnitt gebildet ist, eine erste Oberfläche (12b), eine zweite Oberfläche (12a), die der ersten Oberfläche (12b) gegenüberliegt, und Kanten (13a, 13b) an sowohl der ersten Oberfläche (12b), als auch der zweiten Oberfläche (12a), wobei jede Kante (13a, 13b) an den abgeschrägten Abschnitt (11) angrenzt, hat;einen Schritt des Durchführens von Abrollen eines äußeren peripheren Teils (14) der ersten Oberfläche (12b), um einen abgerollten Bereich zu bilden, wobei der äußere periphere Teil (14) sich von dem Wafer (10) von einer vorbestimmten Position, die weiter innen ist als die Position der Kante (13b) an der ersten Oberfläche (12b), nach außen erstreckt; undeinen Schritt der Bildung eines ersten epitaktischen Films (20) auf der zweiten Oberfläche (12a),wobei eine abgerollte Menge des äußeren peripheren Teils (14) basierend auf einer Filmdicke eines zweiten epitaktischen Films (30), der an dem äußeren peripheren Teil (14) der ersten Oberfläche (12b) anlagert, wenn der erste epitaktische Film (20) auf der zweiten Oberfläche (12a) gebildet wird, bestimmt wird,wobei der erste epitaktische Film (20), der auf der zweiten Oberfläche (12a) des Halbleiter-Wafers (10) gebildet ist, eine Dicke von 3 µm oder mehr hat, undwobei ein ESFQR-Durchschnittswert, der die Flachheit einer Oberfläche einschließlich mindestens einer Oberfläche (30a) des zweiten epitaktischen Films (30) auf der ersten Oberfläche (12b) darstellt, 100 nm oder weniger ist. The present invention provides a method of producing an epitaxial wafer having a highly flat rear surface without polishing top and rear surfaces of the epitaxial wafer after forming an epitaxial film. A method of producing an epitaxial wafer 100 according to the present invention comprises a step of preparing a semiconductor wafer 10 having a beveled portion 11 formed on its end portion, a first surface 12b, a second surface 12a opposite to the first surface 12b, and edges 13b and 13a on both of the first surface 12b and the second surface 12a, the each edge 13a and 13b is boundary with the beveled portion 11; a step of processing of rolling off an outer peripheral portion 14 of the first surface 12b to form a roll-off region, the outer peripheral portion 14 is extending outward of the wafer from a predetermined position P inner than the position