Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:- einen aktiven Bereich (2), der in einer Oberfläche einer Halbleiterschicht (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist; und- eine Vielzahl von Feldabschwächungsschichten (11-16; 11A-16A, 11B-16B, 11C-16C; 120, 140, 160; 120A, 140A, 160A) zur Absch...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Furukawa, Akihiko, Nakaki, Yoshiyuki, Miura, Naruhisa, Kawakami, Tsuyoshi, Hamada, Kenji, Kagawa, Yasuhiro
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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