Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:- einen aktiven Bereich (2), der in einer Oberfläche einer Halbleiterschicht (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist; und- eine Vielzahl von Feldabschwächungsschichten (11-16; 11A-16A, 11B-16B, 11C-16C; 120, 140, 160; 120A, 140A, 160A) zur Abschwächung eines elektrischen Feldes, die durch Dotierstoffbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet sind, wobei die Vielzahl der elektrischen Feldabschwächungsschichten ausgehend von einem peripheren Bereich des aktiven Bereichs (2) in Richtung nach außen sowie den aktiven Bereich (2) umschließend angeordnet ist,- wobei die Vielzahl der elektrischen Feldabschwächungsschichten (11-16; 11A-16A, 11B-16B, 11C-16C; 120, 140, 160; 120A, 140A, 160A) derart ausgebildet ist, dass ein Dotierstoff-Implantationsbetrag ausgehend von der Seite des aktiven Bereichs (2) in Richtung nach außen abnimmt,- wobei die Vielzahl der elektrischen Feldabschwächungsschichten (11-16; 11A-16A, 11B-16B, 11C-16C; 120, 140, 160; 120A, 140A, 160A) folgendes aufweist:- eine erste elektrische Feldabschwächungsschicht (11), in deren gesamte Region ein Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Oberflächendichte implantiert ist;- eine zweite elektrische Feldabschwächungsschicht (13), in deren gesamte Region ein Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer zweiten Oberflächendichte implantiert ist; und- eine dritte elektrische Feldabschwächungsschicht (12), die mit einer Vielzahl von ersten kleinen Bereichen (11') und einer Vielzahl von zweiten kleinen Bereichen (13') in einer sich abwechselnden Anordnung ausgebildet ist, wobei die ersten kleinen Bereiche (11') jeweils eine Breite in einer Ebenenrichtung aufweisen, die kleiner ist als die der ersten elektrischen Feldabschwächungsschicht (11), wobei in die ersten kleinen Bereiche (11') ein Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps mit der ersten Oberflächendichte implantiert ist, wobei die zweiten kleinen Bereiche (13') jeweils eine Breite in der Ebenrichtung aufweisen, die kleiner ist als die der zweiten elektrischen Feldabschwächungsschicht (13), wobei in die zweiten kleinen Bereiche (13') ein Dotierstoff des zweiten Leitfähigkeitstyps mit der zweiten Oberflächendichte implantiert ist,- wobei die dritte elektrische Feldabschwächungsschicht (12) in der Ebenenrichtung zwischen der ersten elektrischen Feldabschwächungsschicht (11) und der zweiten elektrischen Feldabschwächungsschicht (13) angeordnet ist und wobei die d