Herstellung von Einheiten mit metallischen Ersatz-Gates

Verfahren zum Polieren mehrerer dielektrischer Schichten für das Ausbilden von Strukturen mit metallischen Ersatz-Gates weisen einen ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht zu planarisieren, um eine planarisierte Dicke über einer Gate-Struktur zurückzulassen. Ein zweiter chemisch-mechanischer Polierschritt weist das Entfernen der Dicke auf, um eine darunterliegende, bedeckte Oberfläche eines Dielektrikums der Gate-Struktur mit einem Poliermittel freizulegen, das dafür konfiguriert ist die oberste Schicht und die darunterliegende, bedeckte Oberfläche im Wesentlichen gleichmäßig zu polieren, um eine ebene Topografie zu erreichen. Ein dritter chemisch-mechanischer Polierschritt wird eingesetzt, um das Dielektrikum von der Gate-Struktur zu entfernen und einen Gate-Leiter freizulegen. Planarization methods include depositing a mask material on top of an overburden layer on a semiconductor wafer. The mask material is planarized to remove the mask material from up areas of the overburden layer to expose the overburden layer without removing the mask material from down areas. The exposed overburden layer is wet etched and leaves a thickness remaining over an underlying layer. Remaining portions of the mask layer and the exposed portions of the overburden layer are planarized to expose the underlying layer.