MEMS-Strukturen mit planarem Hohlraum und verwandte Strukturen, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen

Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolato...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	He, Zhong-Xiang, White, Eric J, Dunbar, George A, Herrin, Russell T, Murphy, William J, Stamper, Anthony K, Maling, Jeffrey C, Dang, Dinh, Twombly, John G, Jahnes, Christopher V, Doan, Thai
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SWITCHES ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS RELAYS SELECTORS TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolatorschicht (24),Strukturieren zur Bildung einer Öffnung (28) mit Rändern (26a) des Resist (26), die eine darunter angeordnete Siliciumschicht (18) überlappen, welche als Opferschicht verwendet wird, um einen des mindestens einen Hohlraumes zu bilden, und wobei die Isolatorschicht derart geätzt wird, um einen bilderrahmenartige Rand (30) zu bilden, welcher die darunter angeordnete Siliciumschicht (18) umgibt, und Planarisieren der Isolatorschicht (24) mit der darunter angeordneten Siliciumschicht (18). A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.